内存厂商是掉球失误了吗？
DDR3 桌机内存已经问市将近两年，但直到数个月前我们才终于看到善用 DDR3 较高数据速率的第一款系统平台出现。透过支持三信道模式的内建控制器，Core i7 处理器创造了 RDRAM 遇见 Netburst 以来最大的内存频宽改良幅度。不过原本应该顺利的尴尬过渡期，已经由各怀鬼胎的内存厂商加以克服。
目前的问题在于电压上。虽然 DDR3 额定使用 1.50 V 电压，但制造厂商发现 Core 2 世代芯片组的内存控制器可以轻易超出标准运作。大多数厂商开始使用电压容忍度较高的较低速零件，针对玩家市场生产高度超频的产品，舍弃电压范围相较小的高速内存。在 Intel 于 Core i7 发表前不久宣布搭配的内存控制器不应处理超过 1.65 V 的电压之时，综观当时的市场却发现，只有一家厂商针对标准电压组态生产 DDR3-1600 模块。
后来一窝蜂内存知名品牌开始疯狂重标「高速」内存，以必要的低速求得较高电压极限时的稳定性。在这个过程中，这种「较低电压」内存是以三信道套件包装，以区别针对前世代系统推出的高度超频双通道套件。超高速 DDR3-2000 曾消失了一段时间，DDR3-1866 花了近一个月才出现 6 GB 的三通道套件，几乎每一现有产品在速度上都被降一到二级，以在较低电压上限时稳定运作。
2008 年 12 月终于可以看到 DDR3-1600 或较高速的三通道套件，针对这次的超级评比，我们很快就搜集了数量尽量多的这类高阶套件。
Google 广告
