SanDisk（NASDAQ:SNDK）与东芝合作推出采用32奈米（nm）制程技术所生产的32-gigabite (Gb) 3-bits-per-cell (X3)多层电路元 (Multi-Level Cell，简称MLC) 快闪存贮器芯片，助益以低成本生产高容量存贮记忆卡及固态硬盘等产品。X3以及32奈米技术打破规格和密度的 篱，以低制造成本享有卓越效能突破现有技术，提供microSD卡拥有更大容量。以SanDisk All Bit-Line (ABL)结构及32奈米制程，提供43奈米制程的良好效能水平。
SanDisk共同创办人兼总裁Sanjay Mehrotra表示：「SanDisk在推出56奈米3-bits-per-cell的第一代产品后一年半，即开发出第三代32奈米3-bits-per-cell技术，展现身为业界领导者具备的快速研发能力。同时，凭藉此创新技术，让SanDisk更能以经济的成本，提供更多兼具高容量及时尚外观的产品，不仅助于拓展各产品线，更突显SanDisk提供给消费者卓越技术与创新的坚持。」
32奈米32Gb X3技术是目前业界体积最小的快闪存贮器芯片，适用于手机和其他消费性电子产品中，仅有指甲大小的microSD记忆卡。业界密度最高的32奈米 32Gb microSD记忆卡，以与43奈米相同的模组，提供比其高出两倍的容量。32奈米制程以及其电路设计的领先技术为成就113mm2 芯片规格的关键要素，并以SanDisk All-Bit-Line （ABL）专利结构提高X3的读写效能。
SanDisk OEM业务部暨企业工程执行副总裁Yoram Cedar表示：「32奈米 X3芯片的小巧体积和令人难以置信的密度，促使高容量microSD的诞生。随者日益增长的行动电话存贮需求，microSD的尺寸大小也成为消费者选购的要点，而X3技术将是使我们为市场注入新产品的重要因素。」
关于SanDisk核心技术
32奈米是业界迄今最先进的快闪存贮器制程技术，它需要先进的解决方案来管理在规格上的变化。结合数种创新技术的32奈米制程芯片，与摩尔定律中的其他趋势线相较之下，其模组区域大幅减小。
SanDisk储存技术部副总裁Klaus Schuegraf表示：「SanDisk成功的以43奈米浸没式光刻技术部署间隙壁工艺，不需增加昂贵的光刻设备下，完成32奈米制程技术，SanDisk将其领先业界的64-bit NAND串长带到32奈米，并采用创新的程式演算法和系统设计弥补位与位之间的干扰影响（bit to bit）。」
SanDisk和东芝在2009国际固态电子电路会议 (International Solid State Circuits Conference; ISSCC)中携手发表32奈米 32Gb X3 NAND快闪存贮器；强调可发展出32奈米的创新技术。32奈米32Gb X3预计在2009年下半年开始投产。
