IBM hat einen verbesserten Endverstärker (Radio-Frequenz (RF)-Power-Amplifier) für Handys vorgestellt. Das Schaltelement basiert auf der Silizium-Germanium Technologie und soll die Kosten und Produktgröße von Handys und PDAs deutlich reduzieren. Laut IBM verringern die neuen Materialien nicht nur den Platzbedarf, sondern senken durch ihre bessere thermische Leitfähigkeit auch die Betriebstemperatur der RF-Chips. Bernard Meyerson, Vice President der Abteilung Communications Resources und Development Center, bezeichnete den neuen Stromverstärker-Chip als wahren Durchbruch in dieser Produktkategorie. Bislang habe man angenommen, es gebe keine Alternative zu dem weitaus teureren Gallium-Arsenid Prozess.