Für die Einstellung der passenden Taktrate des Speichers im BIOS ändert sich gegenüber DDR2 nichts. Die ersten auf dem Markt verfügbaren DDR3-Module werden DDR3-1066 (533 MHz) und DDR3-1333 (667 MHz) sein: Die Taktrate knüpft einfach dort an, wo DDR2 aufhört.

Ein weiteres wichtiges Unterscheidungsmerkmal ist die Versorgungsspannung. Sie wurde von 1,80 Volt (DDR2) auf 1,50 Volt abgesenkt. Das hat in erster Linie mit der Prozesstechnologie zu tun, in der die DDR3-Module hergestellt werden.

Ältere DDR2-Module werden überwiegend in 110-nm- und 100-nm-, vereinzelt aber auch schon in 80 nm-Prozesstechnik hergestellt, wie beispielsweise beim Speicher-Riesen Samsung. Bei DDR3 geht die Firma Micron noch einen Schritt weiter und baut Module mit nur 78 nm Strukturbreite. Der deutsche Speicherchipentwickler Qimonda gehört zu den ersten, welcher bereits Übertaktungsmodule an Motherboardhersteller ausliefert. Die ersten Testmuster lassen sich sogar mit DDR3-1600 (800 MHz) betreiben.

Die Herstellung der Speichermodule wird aktuell auf 300mm-Wafern durchgeführt, wobei sich bei der 78 nm-Technologie 600 Speicherchips zusätzlich gewinnen lassen. Das entspricht etwa 37 kompletten Speichermodulen mit je 2 GB pro Wafer.

Ein weiterer Grund für das Shrinken der Prozesstechnologie ist die Verringerung des Platzbedarfes, um Module mit einer Speicherkapazität von 2 GB bei normaler Bauhöhe und ohne Überlagerung der Speicherchips herstellen zu können.

DDR2-Modul mit 2 GB von Qimonda

Ein weiterer Vorteil der Chip-Verkleinerung liegt in der Senkung der Verlustleistung. Bei DDR2-Speicher ist zum Beispiel bei realen 600 MHz (DDR2-1200) die Taktgrenze erreicht. Die Kehrseite: Diese Module müssen mit einer extrem hohen Spannung von 2,3 Volt (Standard ist 1,8 Volt) betrieben werden, damit sie stabil laufen. Zukünftiger DDR3-Speicher schafft eine höhere Taktrate von 667 MHz (DDR3-1333) bei gerade einmal 1,5 Volt Standardspannung. Wir haben die Verlustleistung der Speichermodule im Vergleich gemessen, auf diese gehen wir später im Artikel ein.