Intel hat bekannt gegeben, Ende des zweiten Quartals 2006 erste Testmuster seiner Multi-Level Cell NOR-Flash-Speicher auszuliefern. Die Chips werden die ersten auf dem Markt sein, die mit 65nm-Technologie gefertigt wurden und über eine Speicherdichte von 1 Gigabit verfügen.

Die NOR-Flash-Speicher kommen beispielsweise in Mobiltelefonen als Speicher für Anwendungen, PIM-Daten (Personal Information Management) sowie Fotos, Musik oder Videos zum Einsatz. "Unsere 65nm-Fertigungstechnologie wird die Performance unserer Flash Speicher verbessern und den Weg für funktionsreichere Handys ebnen", erläutert Brian Harrison, Intel Vice President und General Manager der Flash Memory Group.

Intel produziert bereits seit der zweiten Jahreshälfte 2005 Halbleiter auf Basis des Herstellungsverfahrens mit 65nm Strukturbreite und liefert 65nm-Prozessoren für Notebooks, Desktop-Computer, Server und Embedded-Anwendungen.