Intel hat nach eigenen Angaben als erstes Unternehmen weltweit einen voll funktionsfähige SRAM (Static Random Access Memory)-Chip mit der neuen 45nm-Prozesstechnologie hergestellt.

Mit dem neuen Herstellungsprozess ließen sich Chips anfertigen, die eine fünffach geringere Verlustleistung als heutige Chips aufweisen. Dies optimiere die Batterielebensdauer mobiler Geräte und schaffe die Voraussetzung, um kleinere und leistungsstärkere Plattformen zu entwickeln.

Der 45 nm SRAM-Chip verfügt über mehr als 1 Milliarde Transistoren. Als egentständiges Produkt will Intel den Baustein aber nicht vermarkten. Mit dem Prozeß will der Konzern "die technische Kapazität, den Ertrag aus dem Verfahren sowie die Zuverlässigkeit der Chips zeigen". Damit sei "eine erste entscheidende Hürde" auf dem Weg zur Massenproduktion der weltweit komplexesten Bauteile genommen.

Zusätzlich zur Fertigung der D1D Fabrik in Oregon, wo die 45 nm-Entwicklung bei Intel bereits im Gange ist, kündigte die Firma mit der Fab 32 in Arizona sowie der Fab 28 in Israel zwei weitere Fabriken für die Herstellung von Chips an.

Aktuell produzieren zwei Fertigungsanlagen in Arizona und Oregon 65 nm Chips, zwei weitere Anlagen sollen 2006 in Irland und Oregon in Betrieb genommen werden.