Intel hat Transistoren mit einer Gate-Länge von nur 15 nm entwickelt. Sie sollen eine Transitfrequenz (Durchlassfrequenz) von weit über zwei Terahertz besitzen. Das soll eine theoretische Prozessortaktrate von 100 GHz und mehr erlauben. Bereits vor einem Jahr überwanden die Intel-Techniker die Terahertz-Grenze, allerdings nur mit 30 nm-Gate-Länge und 0,8 nm dicken Oxydschichten bei einer Schwellspannung von 0,85 Volt (Spannung bei der ein Transistor durchschaltet). Damit wurde eine Frequenz von 1,2 THz erzielt.

Schon im Juni wurde die Gate-Länge auf 20 nm verbessert (1,45 THz bei 0,75 Volt). Jetzt ist eine Gate-Länge von 15 nm möglich - damit wird die benötigte Fläche eines Transistors gegenüber 20 nm nochmals halbiert. Die so erreichte Transitfrequent beträgt nun 2,63 THz.

Die Herstellung für die Endprodukte dauert aber noch eine Weile. Für die 20-nm-Version rechnen die Intel-Strategen mit Produktionsbeginn in 2007. Im Jahre 2009 soll dann eine marktfähige Lösung für eine 15 nm Gate-Länge vorliegen.