Motorola ist nach eigenen Angaben ein bedeutender Durchbruch bei der Entwicklung von Halbleiter-Materialien gelungen. Erstmals konnten die Halbleiter Gallium-Arsenid und Silizium in einem Chip vereint werden. Gallium-Arsenid (GaAs) gilt in der Chipfertigung als das Non-plus-ultra. Damit hergestellte Transistoren können wesentlich höhere Schaltgeschwindigkeiten erreichen, die Herstellung ist jedoch um ein mehrfaches teurer als bei Silizium. Eine Verbindung des schnellen Halbleiters mit kostengünstigen Silizium-Trägern war bisher nahezu unmöglich, denn die kristallinen Strukturen von Silizium und so genannten III-V Halbleiter-Materialien passen nicht zueinander. Dieses Problem hat Motorola jetzt durch ein Material gelöst, das sich als Verbindungsschicht zwischen GaAs und Silizium eignet. Damit werden neue Chipgenerationen mit kombinierten Silizium- und lichtemittierenden Transistoren möglich. Die ersten "GaAs-on-Silicon-Wafer" mit einem Durchmesser von 8 Zoll hat Motrola bereits selbst hergestellt. Laut Motorolas Chef-Technologe Dennis Roberson sollen die neue Silicon-Gallium-Arsenide-Chips nur ein Zehntel eines reinen Gallium-Arsenide-Chips kosten, doch die gleiche Leistung wie dieser bringen.