Motorola hat seinen ersten 1 Megabit MRAM-Universal-Speicherchip (MRAM = Magnetoresistive Random Access Memory) vorgestellt. Der von Motorola gezeigte Speicherbaustein basiert auf einer nur aus einem Transistor bestehenden Speicherzelle und einer einzigen MTJ (Magnetic Tunnel Junction) und arbeitet bei Zykluszeiten von weniger als 50ns für Lesen und Schreiben. Das Speicherdesign mit einer Organisation von 64k x 16 basiert auf einem CMOS-Prozess mit Strukturbreiten von 0,6µ und wurde auf einem 200mm-Substrat mit Kupfermetallisierung gefertigt. Für die Ummantelung der Kupferbahnen mit magnetischem Material wurde eine neue Struktur verwendet, mit deren Hilfe die für das Programmieren der Bits benötigte Energie um den Faktor vier gesenkt werden konnte. Laut Motorola vereint der neue Bausteine damit alle Eigenschaften eines idealen Speicherchips: Er ist nicht-flüchtig, schnell, kostengünstig und stromsparend.