Die US-Firma Motorola hat sogenannte magnetoresistive Speicherbausteine (MRAM) entwickelt, die in Zukunft DRAM und Flash-Speicher ablösen soll. Die Zugriffszeiten sollen unter 15 Nanosekunden liegen. Einen Vorteil gegenüber den herkömmlichen Speichern stellt auch die unbegrenzte Haltbarkeit der Bausteine dar. Sie sollen im nächsten Jahr auf den Markt kommen und vor allem in Geräten wie Handys und Organizern zum Einsatz kommen.