Auf der heute beginnenden "International Electron Devices"-Konferenz in der US-Hauptstadt Washington, D.C., stellt IBM eine Neuentwicklung vor: den "Double Gate" Transistor. Dieses Schaltelement kann bei konventionellem Strombedarf die doppelte Anzahl an Operationen ausführen - oder ebensoviele Arbeitsschritte wie herkömmliche Transistoren, aber mit dem halbierten Verbrauch.

Diese Technik soll nach Angaben von IBM schon ab 2006 in Prozessoren verbaut werden können. Sowohl Hochleistungs- als auch Stromsparmodelle können davon profitieren. Chipkonkurrenten Intel und HP setzen mit eigenen Designs dagegen. Prozessor-Gigant Intel hatte im Vorfeld schon Papiere zum "Terahertz-Prozessor" angekündigt. Neue Legierungen der Halbleiterbauteile sollen extreme Geschwindigkeitssteigerungen ermöglichen - unter anderem bei Verwendung von IBMs SOI-Technik (silicon on insulator). Hewlett Packard zielt höher: nach den Vorstellungen des Drucker- und PC-Herstellers sollen leitende Kohlenstoffelemente noch größere Fortschritte ermöglichen, allerdings erst in fernerer Zukunft.