Samsung hat die Entwicklung eines neuen RD-RAM Speicherchips abgeschlossen. Der mit 1066 MHz getaktete und im 0,12-Mikron-Verfahren hergestellte Halbleiter wurde jetzt vorgestellt. Durch den 576 MBit Chip können Module mit einer Kapazität von über einem GByte realisiert werden. Die Produktion der PC1066-Bausteine ist allerdings sehr kostspielig. Die neuen Rambus-Module werden daher im Verhältnis teurer ausfallen als ihre Vorgänger. Trotzdem sieht Samsung rosige Zeiten für RD-RAM-Speicher anbrechen. Bis 2003 soll der Markt auf 2,5 Milliarden Dollar ansteigen.