Unter der Bezeichnung FinFET haben Forscher von der Taiwan Semiconductor Manufactoring Company (TSMC) neue Transistoren entwickelt, deren Baugröße um bis zu einem Faktor 10 kleiner ist als bei bisherigen Modellen. Die FinFET-Schaltelemente können theoretisch mit einer Gatelänge von 9 Nanometern gefertigt werden, derzeit arbeitet TSMC an Transistoren mit 25 Nanometern. In ersten Test konnte man nach eigenen Angaben neue Performance-Rekorde aufstellen. Durch die kleinere Bauweise lässt sich die Größe von Chipstrukturen weiter verringern, wodurch sich auch die benötigte Spannung und die Verlustleistung reduzieren. Damit werden leistungsfähigerer Prozessoren bei geringerem Stromverbrauch möglich.