S5000xvn single channel problem

--------[ EVEREST Ultimate Edition ]------------------------------------------------------------------------------------

Version EVEREST v5.01.1700/fr
Module de benchmark 2.4.258.0
Système d'exploitation Microsoft Windows Vista Business N 6.0.6002 (Vista Retail)

--------[ Processeur ]--------------------------------------------------------------------------------------------------

Propriétés du processeur:
Type de processeur 2x DualCore Intel Xeon 5130, 2000 MHz (6 x 333)
Alias du processeur Woodcrest
Stepping du processeur B2
Jeu d'instructions x86, x86-64, MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3
Vitesse d'horloge originelle 2000 MHz
Min / Max du multiplicateur du CPU 6x / 6x

Multi CPU:
CPU #1 Intel(R) Xeon(R) CPU 5130 @ 2.00GHz, 1995 MHz
CPU #2 Intel(R) Xeon(R) CPU 5130 @ 2.00GHz, 1995 MHz
CPU #3 Intel(R) Xeon(R) CPU 5130 @ 2.00GHz, 1995 MHz
CPU #4 Intel(R) Xeon(R) CPU 5130 @ 2.00GHz, 1995 MHz

Informations physiques:
Forme du composant 771 Contact LGA

Fabricant du processeur:
Nom de l'entreprise Intel Corporation

--------[ CPUID ]-------------------------------------------------------------------------------------------------------

(CPUID) Propriétés:
(CPUID) Fabricant GenuineIntel
(CPUID) Nom du processeur Intel(R) Xeon(R) CPU 5130 @ 2.00GHz
(CPUID) Révision 000006F6h
(IA) Identifiant de la marque 00h (Inconnu)
Identifiant de la plate-forme 28h / MC 04h (LGA771 DP)
Révision du Microcode Update CD
Unités HTT / CMP 0 / 2
Température Tjmax 80 °C (176 °F)


--------[ Carte mère ]--------------------------------------------------------------------------------------------------

Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère 63-0100-000001-00101111-092308-Chipset$0AAAA000_BIOS DATE: 09/23/08 12:19:37 VER: 08.00.10
Nom de la carte mère Intel Vernonia S5000XVN

Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel AGTL+
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 333 MHz (QDR)
Horloge effective 1333 MHz
Bande passante 10667 Mo/s

Propriétés du bus mémoire:
Type du bus Quad DDR2 SDRAM
Largeur du bus 256 bits
Ratio DRAM:FSB 1:1
Horloge réelle 333 MHz (DDR)
Horloge effective 667 MHz
Bande passante 21333 Mo/s

Informations physiques sur la carte mère:
Sockets/slots processeur 2 LGA771
Slots d'expansion 2 PCI-E x8, 1 PCI-E x16, 2 PCI-X
Slots RAM 8 FB-DIMM
Périphériques intégrés Audio, Dual LAN
Forme Extended ATX
Chipset de la carte mère i5000X

--------[ Mémoire ]-----------------------------------------------------------------------------------------------------

Mémoire physique:
Total 16357 Mo
Utilisé 4229 Mo
Disponible 12127 Mo
Utilisation 26 %

Zone de swap:
Total 15864 Mo
Utilisé 3477 Mo
Disponible 12386 Mo
Utilisation 22 %

Mémoire virtuelle:
Total 32221 Mo
Utilisé 7707 Mo
Disponible 24514 Mo
Utilisation 24 %

Physical Address Extension (PAE):
Supporté par le système d'exploitation Oui
Supporté par le processeur Oui
Active Oui


--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ Channel0-DIMM1: Kingston KINGSTON ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Kingston KINGSTON
Numéro de série 0918FFFFh (4294907913)
Date de fabrication Semaine 20 / 2009
Taille du module 4 Go (2 ranks, 8 banks)
Type du module FB-DIMM
Type de mémoire DDR2 SDRAM FB-DIMM
Vitesse de mémoire DDR2-667 (333 MHz)
Voltage du module 1.5 V / 1.8 V
Méthode de détection d'erreurs ECC
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)
Manufacturier DRAM Elpida

Performances mémoire:
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-26-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Fonctionnalités du module mémoire:
50 Ohm On-Die Termination Géré
75 Ohm On-Die Termination Géré
150 Ohm On-Die Termination Géré
Weak Driver Géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Kingston Technology Company, Inc.
Information sur le produit http://www.kingston.com/products/default.asp

[ Channel1-DIMM1: Kingston KINGSTON ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Kingston KINGSTON
Numéro de série 0118803Dh (1031804929)
Date de fabrication Semaine 20 / 2009
Taille du module 4 Go (2 ranks, 8 banks)
Type du module FB-DIMM
Type de mémoire DDR2 SDRAM FB-DIMM
Vitesse de mémoire DDR2-667 (333 MHz)
Voltage du module 1.5 V / 1.8 V
Méthode de détection d'erreurs ECC
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)
Manufacturier DRAM Elpida

Performances mémoire:
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-26-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Fonctionnalités du module mémoire:
50 Ohm On-Die Termination Géré
75 Ohm On-Die Termination Géré
150 Ohm On-Die Termination Géré
Weak Driver Géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Kingston Technology Company, Inc.
Information sur le produit http://www.kingston.com/products/default.asp

[ Channel2-DIMM1: Qimonda 72T512920EFA3SC ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Qimonda 72T512920EFA3SC
Numéro de série 07027616h (376832519)
Date de fabrication Semaine 32 / 2008
Taille du module 4 Go (2 ranks, 8 banks)
Type du module FB-DIMM
Type de mémoire DDR2 SDRAM FB-DIMM
Vitesse de mémoire DDR2-667 (333 MHz)
Voltage du module 1.5 V / 1.8 V
Méthode de détection d'erreurs ECC
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)
Manufacturier AMD Qimonda
Manufacturier DRAM Qimonda

Performances mémoire:
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-26-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Fonctionnalités du module mémoire:
50 Ohm On-Die Termination Géré
75 Ohm On-Die Termination Géré
150 Ohm On-Die Termination Géré
Weak Driver Géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Qimonda AG
Information sur le produit http://www.qimonda.com/computing-dram

[ Channel3-DIMM1: Qimonda 72T512920EFA3SC ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Qimonda 72T512920EFA3SC
Numéro de série 0200C42Dh (767819778)
Date de fabrication Semaine 33 / 2008
Taille du module 4 Go (2 ranks, 8 banks)
Type du module FB-DIMM
Type de mémoire DDR2 SDRAM FB-DIMM
Vitesse de mémoire DDR2-667 (333 MHz)
Voltage du module 1.5 V / 1.8 V
Méthode de détection d'erreurs ECC
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)
Manufacturier AMD Qimonda
Manufacturier DRAM Qimonda

Performances mémoire:
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-26-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Fonctionnalités du module mémoire:
50 Ohm On-Die Termination Géré
75 Ohm On-Die Termination Géré
150 Ohm On-Die Termination Géré
Weak Driver Géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Qimonda AG
Information sur le produit http://www.qimonda.com/computing-dram


--------[ Chipset ]-----------------------------------------------------------------------------------------------------

[ North Bridge: Intel Greencreek 5000X ]

Propriétés du chipset North Bridge:
North Bridge Intel Greencreek 5000X
Plateforme Intel Glidewell
Vitesses FSB supportées FSB1066, FSB1333
Types de mémoire gérés DDR2-533 SDRAM, DDR2-667 SDRAM
Quantité maximum de mémoire 64 Go
Révision 31
Forme du composant 1432 Pin FC-BGA

Contrôleur mémoire:
Type Quad Channel (256 bits)
Mode actif Quad Channel (256 bits)

Performances mémoire:
CAS Latency (CL) 5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 5T
RAS Precharge (tRP) 5T
RAS Active Time (tRAS) 15T
Row Cycle Time (tRC) 20T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 43T
RAS To RAS Delay (tRRD) 3T
Write Recovery Time (tWR) 5T
Read To Read Delay (tRTR) 3T
Read To Write Delay (tRTW) 5T
Write To Read Delay (tWTR) Same Rank: 9T, Different Rank: 2T
Write To Write Delay (tWTW) 2T
Read To Precharge Delay (tRTP) 3T
Additive Latency (tAL) 4T
CKE Min. Pulse Width (tCKE) 3T
Refresh Period (tREF) 1300T

Correction d'erreurs:
ECC Géré, Activé
ChipKill ECC Géré, Activé
RAID Géré, Désactivé(e)
ECC Scrubbing Géré, Activé

Slots mémoire:
Slot DRAM nº1 4 Go (DDR2-667 Fully Buffered ECC DDR2 SDRAM)
Slot DRAM nº2 4 Go (DDR2-667 Fully Buffered ECC DDR2 SDRAM)
Slot DRAM nº3 4 Go (DDR2-667 Fully Buffered ECC DDR2 SDRAM)
Slot DRAM nº4 4 Go (DDR2-667 Fully Buffered ECC DDR2 SDRAM)

--------[ BIOS ]--------------------------------------------------------------------------------------------------------

Propriétés du BIOS:
Type de BIOS AMI
Version du BIOS S5000.86B.11.00.0096.011320091422
Date du BIOS système 09/23/08
Date du BIOS vidéo 06/05/30

Fabricant du BIOS:
Nom de l'entreprise American Megatrends Inc.